CSD25401Q3 - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-シングル CSD25401Q3

CSD25401Q3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-VSON (3.3x3.3)
シリーズ:	NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	11.7 mOhm @ 10A, 4.5V
電力消費（最大）:	2.8W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	296-24260-2
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	CSD25401Q3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1400pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	12.3nC @ 4.5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 20V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	14A (Ta), 60A (Tc)
Email:	[email protected]