CSD25483F4T - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-シングル CSD25483F4T

CSD25483F4T

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.2V @ 250µA
Vgs（最大）:	-12V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	3-PICOSTAR
シリーズ:	FemtoFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	205 mOhm @ 500mA, 8V
電力消費（最大）:	500mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	3-XFDFN
他の名前:	296-37783-2
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	CSD25483F4T
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	198pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	0.96nC @ 4.5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET P-CH 20V LGA
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1.6A (Ta)
Email:	[email protected]