購入 DMT3011LDT-7とBYCHPS
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DMT3011LDT-7
- 部品型番:
- DMT3011LDT-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12457 Pieces
- データシート:
- DMT3011LDT-7.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 DMT3011LDT-7、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください DMT3011LDT-7をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | V-DFN3030-8 (Type K) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| 電力 - 最大: | 1.9W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-VDFN Exposed Pad |
| 他の名前: | DMT3011LDT-7-ND DMT3011LDT-7DITR |
| 運転温度: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | DMT3011LDT-7 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 641pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 13.2nC @ 10V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特長: | Standard |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 8A, 10.7A |
| Email: | [email protected] |
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