FQB17N08LTM
FQB17N08LTM
部品型番:
FQB17N08LTM
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15379 Pieces
データシート:
FQB17N08LTM.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D²PAK (TO-263AB)
シリーズ:QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):100 mOhm @ 8.25A, 10V
電力消費(最大):3.75W (Ta), 65W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FQB17N08LTM
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:520pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:11.5nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 80V 16.5A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:80V
説明:MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):16.5A (Tc)
Email:[email protected]

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