GA20JT12-263
GA20JT12-263
部品型番:
GA20JT12-263
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
TRANS SJT 1200V 45A
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17428 Pieces
データシート:
GA20JT12-263.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):-
Vgs(最大):3.44V
技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤデバイスパッケージ:-
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):60 mOhm @ 20A
電力消費(最大):282W (Tc)
パッケージング:-
パッケージ/ケース:-
他の名前:1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO
運転温度:175°C (TJ)
装着タイプ:-
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:GA20JT12-263
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3091pF @ 800V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:-
FETタイプ:-
FET特長:-
拡張された説明:1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:TRANS SJT 1200V 45A
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):45A (Tc)
Email:[email protected]

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