IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1
部品型番:
IPB65R110CFDAATMA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH TO263-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19597 Pieces
データシート:
IPB65R110CFDAATMA1.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4.5V @ 1.3mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO263
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):110 mOhm @ 12.7A, 10V
電力消費(最大):277.8W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:SP000896402
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:IPB65R110CFDAATMA1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3240pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:118nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263
ソース電圧(VDSS)にドレイン:650V
説明:MOSFET N-CH TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):31.2A (Tc)
Email:[email protected]

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