IPB65R190CFD - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPB65R190CFD

IPB65R190CFD

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4.5V @ 730µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO263
シリーズ:	CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	190 mOhm @ 7.3A, 10V
電力消費（最大）:	151W (Tc)
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	IPB65R190CFDDKR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	IPB65R190CFD
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1850pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	68nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	650V
説明:	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	17.5A (Tc)
Email:	[email protected]