H7N1002LS-E
H7N1002LS-E
部品型番:
H7N1002LS-E
メーカー:
Renesas Electronics America
説明:
MOSFET N-CH 100V LDPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16301 Pieces
データシート:
H7N1002LS-E.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):-
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:4-LDPAK
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):10 mOhm @ 37.5A, 10V
電力消費(最大):100W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-83
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:H7N1002LS-E
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:9700pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:155nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V LDPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):75A (Ta)
Email:[email protected]

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