購入 IPI100N06S3-03とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 230µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大): | 300W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | IPI100N06S303X IPI100N06S303XK SP000087992 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IPI100N06S3-03 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 21620pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 480nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 55V |
説明: | MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |