IPI100P03P3L-04 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPI100P03P3L-04

IPI100P03P3L-04

簡潔な

BYCHIPSは、 IPI100P03P3L-04、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPI100P03P3L-04をメールでお送りします。

購入 IPI100P03P3L-04とBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.1V @ 475µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO262-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	4.3 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:	200W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:	SP000311117
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IPI100P03P3L-04
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	9300pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	200nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 30V 100A (Tc) 200W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]