IRLHS6342TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.1V @ 10µA
Vgs（最大）:	±12V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	6-PQFN (2x2)
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
電力消費（最大）:	2.1W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-PowerVDFN
他の名前:	IRLHS6342TRPBF-ND IRLHS6342TRPBFTR SP001573840
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	IRLHS6342TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1019pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	11nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	8.7A (Ta), 19A (Tc)
Email:	[email protected]