IRLHS6376TR2PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ IRLHS6376TR2PBF

IRLHS6376TR2PBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.1V @ 10µA
サプライヤデバイスパッケージ:	6-PQFN (2x2)
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
電力 - 最大:	1.5W
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	6-VDFN Exposed Pad
他の名前:	IRLHS6376TR2PBFDKR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRLHS6376TR2PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	270pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	2.8nC @ 4.5V
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual)
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3.6A
Email:	[email protected]