購入 IRLML6302TRとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
電力消費(最大): | 540mW (Ta) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRLML6302TR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 97pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 780mA (Ta) |
Email: | [email protected] |