購入 IXFN180N20とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 8mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
シリーズ: | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 10 mOhm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大): | 700W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
製造元の部品番号: | IXFN180N20 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 22000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 660nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 180A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 180A |
Email: | [email protected] |