購入 IXFN180N25TとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 8mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
シリーズ: | GigaMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 12.9 mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大): | 900W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
製造元の部品番号: | IXFN180N25T |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 28000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 345nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 250V 168A 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 250V |
説明: | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 168A |
Email: | [email protected] |