購入 IXFT20N100PとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 6.5V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-268 |
シリーズ: | HiPerFET™, PolarP2™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 570 mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大): | 660W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
製造元の部品番号: | IXFT20N100P |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7300pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 126nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 1000V (1kV) 20A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1000V (1kV) |
説明: | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |