購入 IXFT23N80QとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 3mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-268 |
シリーズ: | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 420 mOhm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大): | 500W (Tc) |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IXFT23N80Q |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4900pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 130nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 800V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
説明: | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 23A (Tc) |
Email: | [email protected] |