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IXFX30N110P
IXFX30N110P
部品型番:
IXFX30N110P
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12040 Pieces
データシート:
IXFX30N110P.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:6.5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PLUS247™-3
シリーズ:HiPerFET™, PolarP2™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:360 mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大）:960W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IXFX30N110P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:13600pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:235nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1100V (1.1kV) 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:1100V (1.1kV)
説明:MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:30A (Tc)
Email:[email protected]

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