購入 JAN1N5553USとBYCHPS
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JAN1N5553US
- 部品型番:
- JAN1N5553US
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 13556 Pieces
- データシート:
- JAN1N5553US.pdf
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BYCHIPSは、 JAN1N5553US、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください JAN1N5553USをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.3V @ 9A |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 800V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | D-5B |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| 逆回復時間（trrの）: | 2µs |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | SQ-MELF, B |
| 他の名前: | 1086-19416 1086-19416-MIL |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号: | JAN1N5553US |
| 拡張された説明: | Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 説明: | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 1µA @ 800V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 3A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | - |
| Email: | [email protected] |
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