NDD60N745U1-1G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NDD60N745U1-1G

NDD60N745U1-1G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I-Pak
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	745 mOhm @ 3.25A, 10V
電力消費（最大）:	84W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:	4 Weeks
製造元の部品番号:	NDD60N745U1-1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	440pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	15nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 600V 6.6A (Tc) 84W (Tc) Through Hole I-Pak
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	600V
説明:	MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	6.6A (Tc)
Email:	[email protected]