購入 NDD60N900U1T4GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DPAK |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 900 mOhm @ 2.5A, 10V |
電力消費(最大): | 74W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム: | 4 Weeks |
製造元の部品番号: | NDD60N900U1T4G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 360pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 600V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount DPAK |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |