English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
関連情報 | お問い合わせ | オンラインお問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-rf > PD20010S-E
PD20010S-E
PD20010S-E
部品型番:
PD20010S-E
メーカー:
ST
説明:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12520 Pieces
データシート:
PD20010S-E.pdf
オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 PD20010S-E、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください PD20010S-Eをメールでお送りします。
購入 PD20010S-EとBYCHPS
保証付きで購入する

規格

電圧 - テスト:13.6V
電圧 - 定格:40V
トランジスタ型式:LDMOS
サプライヤデバイスパッケージ:PowerSO-10RF (Straight Lead)
シリーズ:-
電力出力:10W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
他の名前:PD20010SE
雑音指数:-
水分感受性レベル（MSL）:3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
製造元の部品番号:PD20010S-E
利得:11dB
周波数:2GHz
拡張された説明:RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead)
説明:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
定格電流:5A
電流 - テスト:150mA
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考

同様のモデルのPD20010S-E

絵 部品型番 メーカー 説明 ビュー
PD20010STR-E Image PD20010STR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR オンラインお問い合わせ
PD20015S-E Image PD20015S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF オンラインお問い合わせ
PD20010-E Image PD20010-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF オンラインお問い合わせ
BLL6H0514LS-130,11 Image BLL6H0514LS-130,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B オンラインお問い合わせ
PD20010TR-E Image PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM オンラインお問い合わせ
MRF8S23120HR5 Image MRF8S23120HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 オンラインお問い合わせ
NE3517S03-T1C-A CEL FET RF 4V 20GHZ S03 オンラインお問い合わせ
A2T26H165-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS オンラインお問い合わせ
PD20015C Image PD20015C STMicroelectronics FET RF 40V 2GHZ M243 オンラインお問い合わせ
PD20015-E Image PD20015-E STMicroelectronics TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF オンラインお問い合わせ

最新ニュース