PD20015S-E - STMicroelectronics - トランジスタ-fet、mosfet-rf PD20015S-E - BYCHIPS

PD20015S-E

部品型番:: PD20015S-E

メーカー:: ST

説明:: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 19428 Pieces

データシート:: PD20015S-E.pdf

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規格

電圧 - テスト:	13.6V
電圧 - 定格:	40V
トランジスタ型式:	LDMOS
サプライヤデバイスパッケージ:	PowerSO-10RF (Straight Lead)
シリーズ:	-
電力出力:	15W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
雑音指数:	-
水分感受性レベル（MSL）:	3 (168 Hours)
製造元の部品番号:	PD20015S-E
利得:	11dB
周波数:	2GHz
拡張された説明:	RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W PowerSO-10RF (Straight Lead)
説明:	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
定格電流:	7A
電流 - テスト:	350mA
Email:	[email protected]

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