購入 PH5525L,115とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.15V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | LFPAK56, Power-SO8 |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大): | 62.5W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-100, SOT-669 |
他の名前: | 934060924115 PH5525L T/R PH5525L T/R-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | PH5525L,115 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2150pF @ 12V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 16.6nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 25V 81.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 25V |
説明: | MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 81.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |