R6009ENJTL
R6009ENJTL
部品型番:
R6009ENJTL
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16566 Pieces
データシート:
R6009ENJTL.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:LPTS (D2PAK)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):535 mOhm @ 2.8A, 10V
電力消費(最大):40W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:R6009ENJTLDKR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:17 Weeks
製造元の部品番号:R6009ENJTL
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:430pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:23nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 9A LPT
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Tc)
Email:[email protected]

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