R6009KNJTL
部品型番:
R6009KNJTL
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17457 Pieces
データシート:
R6009KNJTL.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):535 mOhm @ 2.8A, 10V
電力消費(最大):94W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:R6009KNJTLTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:17 Weeks
製造元の部品番号:R6009KNJTL
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:540pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:16.5nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Schottky Diode (Isolated)
拡張された説明:N-Channel 600V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-263
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Tc)
Email:[email protected]

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