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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス > RN2711(TE85L,F)
RN2711(TE85L,F)
部品型番:
RN2711(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14927 Pieces
データシート:
RN2711(TE85L,F).pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
サプライヤデバイスパッケージ:USV
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:-
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:10k
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
他の名前:RN2711(TE85LF)TR
RN2711TE85LF
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:RN2711(TE85L,F)
周波数 - トランジション:200MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
説明:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:400 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:100mA
Email:[email protected]

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