購入 SI1013R-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 450mV @ 250µA (Min) |
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Vgs(最大): | ±6V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SC-75A |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
電力消費(最大): | 150mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-75A |
他の名前: | SI1013R-T1-GE3TR SI1013RT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | SI1013R-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 350mA (Ta) |
Email: | [email protected] |