購入 SI1016X-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | SC-89-6 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
電力 - 最大: | 250mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
他の名前: | SI1016X-T1-GE3TR SI1016XT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI1016X-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 0.75nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N and P-Channel |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 485mA, 370mA |
Email: | [email protected] |