購入 SI1315DL-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 800mV @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-323 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 336 mOhm @ 800mA, 4.5V |
電力消費(最大): | 300mW (Ta), 400mW (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-70, SOT-323 |
他の名前: | SI1315DL-T1-GE3-ND SI1315DL-T1-GE3TR |
運転温度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
製造元の部品番号: | SI1315DL-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 112pF @ 4V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3.4nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 8V 900mA (Tc) 300mW (Ta), 400mW (Tc) Surface Mount SOT-323 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 8V |
説明: | MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 900mA (Tc) |
Email: | [email protected] |