購入 SI3588DV-T1-E3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 450mV @ 250µA (Min) |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
電力 - 最大: | 830mW, 83mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前: | SI3588DV-T1-E3TR SI3588DVT1E3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI3588DV-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N and P-Channel |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.5A, 570mA |
Email: | [email protected] |