SI4455DY-T1-GE3
部品型番:
SI4455DY-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16533 Pieces
データシート:
SI4455DY-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):295 mOhm @ 4A, 10V
電力消費(最大):5.9W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:SI4455DY-T1-GE3DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:SI4455DY-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1190pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:42nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 150V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:150V
説明:MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2A (Ta)
Email:[email protected]

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