SIS439DNT-T1-GE3
部品型番:
SIS439DNT-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13729 Pieces
データシート:
SIS439DNT-T1-GE3.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 SIS439DNT-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SIS439DNT-T1-GE3をメールでお送りします。
購入 SIS439DNT-T1-GE3とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.8V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11 mOhm @ 14A, 10V
電力消費(最大):3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8
他の名前:SIS439DNT-T1-GE3TR
運転温度:-50°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SIS439DNT-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2135pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:68nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):50A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考