STB200N6F3
STB200N6F3
部品型番:
STB200N6F3
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17806 Pieces
データシート:
STB200N6F3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK
シリーズ:STripFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.6 mOhm @ 60A, 10V
電力消費(最大):330W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:497-10025-1
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:STB200N6F3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6800pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:100nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):120A (Tc)
Email:[email protected]

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