STB200NF04L-1 - STMicroelectronics - トランジスタ-fet、mosfet-シングル STB200NF04L-1

STB200NF04L-1

簡潔な

BYCHIPSは、 STB200NF04L-1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください STB200NF04L-1をメールでお送りします。

購入 STB200NF04L-1とBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I2PAK
シリーズ:	STripFET™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.8 mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大）:	300W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:	497-6190-5
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	STB200NF04L-1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	6400pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	90nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	120A (Tc)
Email:	[email protected]