STH180N10F3-2
STH180N10F3-2
部品型番:
STH180N10F3-2
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18061 Pieces
データシート:
STH180N10F3-2.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:H²PAK
シリーズ:STripFET™ III
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.5 mOhm @ 60A, 10V
電力消費(最大):315W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
他の名前:497-11216-2
STH180N10F32
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:STH180N10F3-2
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6665pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:114.6nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H²PAK
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):180A (Tc)
Email:[email protected]

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