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STH185N10F3-2
STH185N10F3-2
部品型番:
STH185N10F3-2
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14281 Pieces
データシート:
STH185N10F3-2.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:H²PAK
シリーズ:STripFET™ F3
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:4.5 mOhm @ 60A, 10V
電力消費（最大）:315W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
他の名前:497-15311-6
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:STH185N10F3-2
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:6665pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:114.6nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H²PAK
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:180A (Tc)
Email:[email protected]

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