購入 STU6N65K3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 50µA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | SuperMESH3™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V |
電力消費(最大): | 110W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | 497-13593-5 |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | STU6N65K3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 880pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 33nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 650V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-Pak |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
説明: | MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |