STU6N60M2
STU6N60M2
部品型番:
STU6N60M2
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 600V IPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16917 Pieces
データシート:
STU6N60M2.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I-Pak
シリーズ:MDmesh™ II Plus
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
電力消費(最大):60W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:497-13978-5
STU6N60M2-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:26 Weeks
製造元の部品番号:STU6N60M2
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:232pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:13.5nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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