HN1B01F-GR(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式:	NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SM6
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
他の名前:	HN1B01F-GR(TE85LFDKR
運転温度:	125°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	HN1B01F-GR(TE85L,F
周波数 - トランジション:	120MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 300mW Surface Mount SM6
説明:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	150mA
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
HN1B04F(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6	オンラインお問い合わせ
HN1B01FU-Y(L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	オンラインお問い合わせ
HN1B01FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN	オンラインお問い合わせ
MC1413PG	ON Semiconductor	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP	オンラインお問い合わせ
HN1B04FE-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6	オンラインお問い合わせ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	オンラインお問い合わせ
HN1B04FE-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6	オンラインお問い合わせ
HN1B04FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	オンラインお問い合わせ
NST45011MW6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363	オンラインお問い合わせ