HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF
部品型番:
HN1B04FU-GR,LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17765 Pieces
データシート:
HN1B04FU-GR,LF.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 HN1B04FU-GR,LF、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください HN1B04FU-GR,LFをメールでお送りします。
購入 HN1B04FU-GR,LFとBYCHPS
保証付きで購入する

規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式:NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:US6
シリーズ:-
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GR(LFT)TR-ND
HN1B04FU-GR,LF(B
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLF-ND
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFTR
運転温度:125°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:HN1B04FU-GR,LF
周波数 - トランジション:150MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
説明:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):200 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):150mA
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考