HN1B04FE-Y,LF - Toshiba Semiconductor and Storage - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式:	NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	ES6
シリーズ:	-
電力 - 最大:	100mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-563, SOT-666
他の名前:	HN1B04FE-Y(T5L,F,T HN1B04FE-Y(T5LFTTR HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND HN1B04FE-Y,LF(B HN1B04FE-Y,LF(T HN1B04FE-YLF(TTR HN1B04FE-YLF(TTR-ND HN1B04FE-YLFTR
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	HN1B04FE-Y,LF
周波数 - トランジション:	80MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
説明:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	150mA
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
HN1B04FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	オンラインお問い合わせ
HN1B04FE-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6	オンラインお問い合わせ
XN0450600L	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN 20V 0.3A MINI6	オンラインお問い合わせ
HN1B01F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6	オンラインお問い合わせ
IMT17-7	Diodes Incorporated	TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26	オンラインお問い合わせ
MPQ6502	Central Semiconductor Corp	TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A	オンラインお問い合わせ
HN1B04F(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6	オンラインお問い合わせ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	オンラインお問い合わせ
HN1B01FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN	オンラインお問い合わせ
HN1B01FU-Y(L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	オンラインお問い合わせ