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HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF
部品型番:
HN1B01FU-GR,LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18881 Pieces
データシート:
HN1B01FU-GR,LF.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:250mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式:NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:US6
シリーズ:-
電力 - 最大:200mW, 210mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:HN1B01FU-GR(L,F,T)
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FU-GRLF-ND
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FUGRLFTTR-ND
運転温度:125°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:HN1B01FU-GR,LF
周波数 - トランジション:150MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
説明:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:200 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）:100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:150mA
Email:[email protected]

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