PBSS4160DS,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:	2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	6-TSOP
シリーズ:	-
電力 - 最大:	420mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
他の名前:	1727-3946-2 568-4350-2 568-4350-2-ND 934058115115 PBSS4160DS T/R PBSS4160DS T/R-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	PBSS4160DS,115
周波数 - トランジション:	220MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 220MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP
説明:	TRANS 2NPN 60V 1A 6TSOP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 500mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	1A
Email:	[email protected]