PBSS4160PAN,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ PBSS4160PAN,115

PBSS4160PAN,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	120mV @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式:	2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	DFN2020-6
シリーズ:	-
電力 - 最大:	510mW
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	6-UDFN Exposed Pad
他の名前:	1727-1071-6 568-10199-6 568-10199-6-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	PBSS4160PAN,115
周波数 - トランジション:	175MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 175MHz 510mW Surface Mount DFN2020-6
説明:	TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	150 @ 500mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	1A
Email:	[email protected]