PBSS4160QAZ - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル PBSS4160QAZ

PBSS4160QAZ

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	245mV @ 50mA, 1A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	DFN1010D-3
シリーズ:	-
電力 - 最大:	1W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	3-XDFN Exposed Pad
他の名前:	1727-1462-2 568-10933-2 568-10933-2-ND 934067166147 PBSS4160QA PBSS4160QAZ-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	PBSS4160QAZ
周波数 - トランジション:	180MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 180MHz 1W Surface Mount DFN1010D-3
説明:	TRANS NPN 60V 1A 3DFN
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	85 @ 1A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	1A
Email:	[email protected]