PBSS4160V,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル PBSS4160V,115

PBSS4160V,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-666
シリーズ:	-
電力 - 最大:	500mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-563, SOT-666
他の名前:	1727-5746-2 568-7293-2 568-7293-2-ND 934058118115 PBSS4160V T/R PBSS4160V T/R-ND PBSS4160V,115-ND PBSS4160V115
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	PBSS4160V,115
周波数 - トランジション:	220MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 900mA 220MHz 500mW Surface Mount SOT-666
説明:	TRANS NPN 60V 0.9A SOT666
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 500mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	900mA
Email:	[email protected]