DMN1019USN-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

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同上@ VGS（TH）（最大）:	800mV @ 250µA
Vgs（最大）:	±8V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SC-59
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
電力消費（最大）:	680mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	DMN1019USN-13DITR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	DMN1019USN-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2426pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	50.6nC @ 8V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	1.2V, 2.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	12V
説明:	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	9.3A (Ta)
Email:	[email protected]