DMN1019UVT-7
DMN1019UVT-7
部品型番:
DMN1019UVT-7
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12843 Pieces
データシート:
DMN1019UVT-7.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):800mV @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TSOT-26
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
電力消費(最大):1.73W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:DMN1019UVT-7DITR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:DMN1019UVT-7
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2588pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:50.4nC @ 8V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:12V
説明:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10.7A (Ta)
Email:[email protected]

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