EPC2104ENG - EPC - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ EPC2104ENG

EPC2104ENG

簡潔な

BYCHIPSは、 EPC2104ENG、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください EPC2104ENGをメールでお送りします。

購入 EPC2104ENGとBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 5.5mA
サプライヤデバイスパッケージ:	Die
シリーズ:	eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	6.3 mOhm @ 20A, 5V
電力 - 最大:	-
パッケージング:	Tray
パッケージ/ケース:	Die
他の名前:	917-EPC2104ENG EPC2104ENGRH4
運転温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	EPC2104ENG
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	800pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	7nC @ 5V
FETタイプ:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:	GaNFET (Gallium Nitride)
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	23A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
EPC2102ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2100ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2103ENGRT	EPC	TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V	オンラインお問い合わせ
EPC2101ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2105ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2108ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2106ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2103ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2104ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 100V 23A DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2105ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2101ENGRT	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	オンラインお問い合わせ
EPC2110ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2100ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2107ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE	オンラインお問い合わせ
EPC2102ENGRT	EPC	MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE	オンラインお問い合わせ